本发明公开了一种锗硅源漏极及制备方法，包括如下步骤：步骤1、提供一半导体基体，在所述半导体基体上制备好栅极及掩膜层；步骤2、图案化蚀刻所述半导体基体形成向内凹的结构；步骤3、在低选择性条件下，在所述向内凹的结构内生长锗硅种子层和主体层；步骤4、在高温下通过蚀刻去除掩膜层上的颗粒缺陷；步骤5、在所述主体层上生长盖帽层。本发明能够有效提高锗硅工艺的生长速率。