本发明涉及一种电阻模型，涉及半导体集成电路，所述电阻模型在现有的电阻模型的基础上，增加了各参数之间相互影响而进一步影响电阻元件的电阻值的模型，能够更好、更准确的反应电阻器件的特性，提高了电阻模型拟合精度，给设计者在电路设计时设计更合理的版图提供很大的帮助，且本发明的新型电阻模型适用于各种类型的电阻，使该新型电阻模型适用性更好。