本发明涉及一种MOM电容失配模型，涉及半导体集成电路，所述MOM电容失配模型为：mis_main＝f(mis_geo，mis_lay)＝’(mis_a*(((mis_geo‑mis_b)**2+1e‑18)**0.5+mis_geo)+mis_c*(((mis_geo‑mis_b)**2+1e‑18)**0.5‑mis_geo)+mis_d+mis_e*power(mis_lay，mis_f))*mis_con’其中，mis_geo代表MOM电容尺寸，mis_lay代表MOM结构的金属层数，mis_a、mis_b、mis_c和mis_d为与MOM电容尺寸相关的参数，mis_e和mis_f为与MOM结构的金属层数相关的参数，mis_con’＝f(w，l，nr，s，mis_lay，V，T)为基本的MOM电容模型，其中w为MOM电容版图中每个金属层的宽度，L为MOM电容版图中每个金属层的长度，nr为每一电极包括的金属层的个数，s为MOM电容版图中相邻金属层的间距，V为施加在MOM电容上的电压，T为MOM电容的温度。