本发明公开了一种离子注入层热点结构OPC变换处理方法，包括如下步骤：步骤S1，获取原始版图；步骤S2，进行图形选择，得到热点结构；步骤S3，根据热点结构的特点对其进行结构变换，得到低风险的新版图图形；步骤S4，对新版图图形进行正常OPC处理，得到掩膜层。本发明通过结构特点定义并选出问题热点结构，并针对不同的热点结构进行相应的截断变换，从而将问题热点图形变换为风险较低的图形结构，有效地改善离子注入层中容易导致工艺问题的热点结构，增加工艺窗口，提高成品率。