一种用于制造光电传感器阵列集成电路的方法包括形成隔离沟槽，该隔离沟槽通过包括以下的方法形成：在[110]‑取向的单晶硅衬底晶片上沉积硬掩膜层，在该硬掩膜层上沉积光刻胶、使光刻胶曝光并显影以在沟槽的位置限定光刻胶开口，穿过该光刻胶开口进行等离子体干法刻蚀以在硬掩膜层中在沟槽的位置形成开口，和穿过硬掩膜层中的开口进行各向异性湿法刻蚀。在特定的实施方案中，在填充钨之前，用P型硅、二氧化硅介质和其它氧化物层对沟槽加衬。