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专利名称导电结构、在导电结构上具有垂直堆叠的存储器单元的组合件及导电结构形成方法
申请日2018-12-21
申请号/专利号CN201811569295.9
专利权人美光科技公司
申请人美光科技公司
发明人/设计人N·M·洛梅利;T·乔治;J·D·格林利;S·M·波克;J·M·梅尔德里姆
公告日2019-07-12
公告号CN110010611A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本申请案涉及导电结构、在导电结构上具有垂直堆叠的存储器单元的组合件及形成导电结构的方法。一些实施例包含一种集成电路的导电结构。所述导电结构包含上部主部分,其中所述上部主部分具有被配置为容器的第一导电组成部分。所述容器具有底部及从所述底部向上延伸的一对侧壁。所述容器的内部区位于所述底部上方且位于所述侧壁之间。所述上部主部分包含被配置为块体的第二导电组成部分,所述块体填充所述容器的所述内部区。所述第二导电组成部分与所述第一导电组成部分具有不同的组成。一或多个导电突起部结合到所述上部主部分且从所述上部主部分向下延伸。一些实施例包含包括位于导电结构上方的存储器单元的组合件。一些实施例包含形成导电结构的方法。
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