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专利名称SRAM读写跟踪电路及方法、字线电压调制装置、系统及方法
申请日2018-12-21
申请号/专利号CN201811569850.8
专利权人成都海光集成电路设计有限公司
申请人成都海光集成电路设计有限公司
发明人/设计人张一平
公告日2019-04-16
公告号CN109637574A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明提供SRAM读写跟踪电路及方法、字线电压调制装置、系统及方法。SRAM字线电压调制装置包括:SRAM读写跟踪电路,其包括用于进行读测试和写测试的一个以上的测试用SRAM单元;以及字线电压调制电路,在测试模式下,所述字线电压调制电路生成一个以上测试用字线电压,并输出到所述SRAM读写跟踪电路,所述SRAM读写跟踪电路在每个所述测试用字线电压下分别进行读测试和写测试,并按照每个测试用字线电压输出表示所述测试用SRAM单元的读测试和写测试成功与否的测试结果,在普通读写模式下,所述字线电压调制电路根据所述SRAM读写跟踪电路的测试结果来生成调制字线电压。
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