本发明提供一种半导体器件制作方法，该方法包括：提供载体晶圆，所述载体晶圆具有彼此相对的正面和背面，在所述载体晶圆的正面形成结合层，所述结合层具有与芯片正面形状相配合的凹凸面；将芯片粘结薄膜贴合在所述载体晶圆的正面和所述结合层上；将所述芯片贴合在所述芯片粘结薄膜上；其中，所述芯片的正面朝向所述载体晶圆的正面，且所述芯片的正面与所述芯片粘结薄膜紧密贴合。该半导体器件制作方法改善了面向下进行芯片粘结时由于芯片正面焊盘开孔导致接触面积有限，结合力差的问题，使芯片与芯片粘结薄膜的结合力明显提高，改善了后续进行塑封时芯片漂移的问题。