本发明提供一种沟槽的制造方法及浅沟槽隔离结构的制造方法，在同一反应腔内，先在半导体衬底中形成第一沟槽，然后多次循环执行第一反应离子刻蚀工艺，以垂直向下加深第一沟槽的深度，且第一反应离子刻蚀工艺的第一沉积步骤中采用以生成聚合物为主的刻蚀气体，第一反应离子刻蚀工艺的第一刻蚀步骤采用以衬底的非等向性刻蚀为主的刻蚀气体；接下来多次循环执行第二反应离子刻蚀工艺，第二反应离子刻蚀工艺包括依次被执行的第二沉积步骤和第二刻蚀步骤，第二刻蚀步骤中的刻蚀气体改成以衬底的等向性刻蚀为主的刻蚀气体，从而可以在第一沟槽的底部形成球形沟槽，同时保持了第一沟槽的形貌和关键尺寸。