本发明公开了一种半导体器件、其制造方法、集成电路及电子设备，器件包括：衬底；有源区，该有源区包括依次叠置在衬底上的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层；绕沟道层的外周形成的栅堆叠；绕栅堆叠和有源区外周的中间介质层和第二导电层。本发明提供的器件和方法，用以解决现有技术中竖直型器件的性能有待提升的技术问题。提供了一种性能较优的半导体器件。