本发明公开了一种具有高效能谐振腔的红外探测器及其制备方法，为了提高芯片集成度，该探测器的谐振腔位于硅片内部，与传统红外探测器件相比，敏感薄膜所处的真空腔仅几微米高，腔体空间大大减小，更容易形成及保持较高真空，避免空气对流引起的敏感层热损失。敏感层薄膜位于谐振腔正中间，上反射层为上衬底背面半透半反的薄金属层；下反射层为下衬底上表面全反射的厚金属层，光在谐振腔中反射一个来回就可穿过敏感层薄膜两次，使得穿透敏感层薄膜的次数增多，增加了光吸收率。谐振腔反射层的制备方法为常规的光刻、镀膜、腐蚀工艺，流程简单易实现，并且在两个衬底上分别制作金属柱，最后用倒装芯片键合组装成谐振腔，工艺巧、成本低、精度高。