本发明公开了一种基于氧化铝材料内嵌纳米晶的铁电场效应晶体管及制备方法，主要解决现有铁电场效应晶体管中传统铁电栅介质与现有工艺不兼容，氧化铪基铁电薄膜会产生较大漏电的问题。其自下而上包括衬底(1)、沟道(2)、栅介质层(5)和栅电极(8)；沟道(2)的两侧为源极区(3)和漏极区(4)；源极区(3)的上方为源电极(6)，漏极区(4)上方为漏电极(7)，其特征在于：栅介质层(5)采用内嵌纳米晶的氧化铝铁电薄膜。本发明能与和现有集成电路工艺兼容，可将栅介质层厚度降低到4nm以下，减小了栅介质层的漏电，提高了器件的整体性能，可用于大规模集成电路。