本发明提供了一种包含多量子阱结构复合缓冲层的高阻缓冲层,包括：由下至上依次设置的衬底、成核层、多量子阱结构复合缓冲层、高阻缓冲层；所述多量子阱结构复合缓冲层进一步包括：n组AlxGa1‑xN多量子阱层、K组AlyGa1‑yN超晶格层和/或m个AlzGa1‑zN单层；所述n组AlxGa1‑xN多量子阱层、K组AlyGa1‑yN超晶格层和/或m个AlzGa1‑zN单层中的平均Al组分递减。本发明还提供了包含多量子阱结构复合缓冲层的高阻缓冲层的制备方法，制作方法简单，无需二次外延，对反应室无污染，可控性强，可以有效减小缓冲层漏电流，从而改善器件高压特性和减小器件的无用功耗，适合实际生产应用。