本发明公开了一种FinFET侧墙的制作方法，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成FinFET的鳍部和栅极；步骤S02：在所述半导体衬底上淀积介质层，将所述鳍部和栅极完全覆盖；步骤S03：在所述栅极两侧的所述介质层中形成深槽；步骤S04：在所述深槽中淀积侧墙材料；步骤S05：去除所述深槽之外多余的侧墙材料；步骤S06：去除介质层材料，在所述栅极两侧形成侧墙。本发明的工艺可与常规硅基超大规模集成电路制造技术兼容，具有简单，方便，周期短的特点，明显降低了工艺成本。