本发明涉及一种半导体器件的闪烁噪声模型，涉及半导体集成电路，所述半导体器件包括一沟道区和一有源区，所述沟道区的长度为L，所述有源区的宽度为W，且所述半导体器件位于一阱内，所述阱包括一X轴方向和一Y轴方向，其中X轴方向为所述阱的横向方向，Y轴方向为所述阱的纵向方向，其特征在于，所述闪烁噪声模型为：Sid＝KF(T)*IAF(T)/(Coxe*LeffLf*WeffWf*fEF(T))，其中，KF(T)、AF(T)和EF(T)分别为温度T的函数，W为有源区的宽度，L为沟道区的长度，f为器件的频率，T0为常温，TC1KF、TC1AF、TC1EF、TC2EF、TC2KF、TC2AF、KFT0、AFT0和EFT0为与温度T相关的参数，使半导体器件的闪烁噪声模型增加了温度的影响，更加精确的反应半导体器件的闪烁噪声，适用性更好。