便携式应急电源
镀铜焊丝的缺陷检测方法、装置、设...
电码的自动识别方法及存储介质
基于强化学习的楼栋摆放方法、装置...
用于观测水下生物的系统及其方法
一种电子设备的空中固件差分升级方...
一种印刷模切张力自动控制系统及其...
低功耗状态监控设备
一种利用RTP扩展头部解决视频帧...
一种高衍射效率相位型空间光调制器...
一种家装板材运输用包装机器人
航空发动机精密管路及其航空发动机...
宽光谱吸收的薄膜太阳能电池及光伏...
一种基于磁通压缩的脉冲磁体装置及...
一种总线访问仲裁装置及方法
一种处理网络抖动的方法及装置
基于光芯片的数据处理方法、装置、...
一种基于小基线条件下的大畸变广角...
一种自动识别设备间网络拓扑结构的...
基于光芯片的数据处理方法、装置、...
企业介绍页面,左右侧内容分别复制到相应容器即可,起始结束位置代码已作标注
专利名称改善多晶硅层线端尺寸均一性的OPC修正方法
申请日2018-12-19
申请号/专利号CN201811557696.2
专利权人上海华力集成电路制造有限公司
申请人上海华力集成电路制造有限公司
发明人/设计人王飞舟;汪悦;张月雨;于世瑞
公告日2019-04-23
公告号CN109669319A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明提供一种用于多晶硅切割图层修正的改善多晶硅层线端尺寸均一性的OPC方法,包括:获取多晶硅层、多晶硅切割图形以及参考层完整设计版图;将目标图形划分为第一类目标图形和第二类目标图形;将第一类目标图形与多晶硅线垂直的两边分别向内收缩第一尺寸;标记多晶硅切割图形的线端边,当线端边至其对面多晶硅图形的距离大于第二尺寸时,对多晶硅切割图形的线端边进行延长第三尺寸,当线端边至其对面多晶硅图形的距离小于等于第二尺寸时,若线端边E伸出长度小于第四尺寸,则对多晶硅切割图形进行加宽,加宽第五尺寸。对修正后的多晶硅层切割图形进行基于模型的OPC后续修正处理,得到mask图形。本发明能优化多晶硅图形线端刻蚀后形貌,改善多晶硅层线端尺寸均一性。
  关于我们  | 帮助中心  |  服务清单  |  发展历程 |  网站地图  |  手机访问

Copyrights 2016-2020  

南京锐阳信息科技有限公司 版权所有

苏ICP备17027521号-1

地址: 南京市秦淮区永智路5号五号楼3层