本发明公开了一种栅极的制造方法，包括步骤：提供表面依次形成栅介质层和多晶硅栅的半导体衬底；形成由第一氮化层和第二氧化层叠加而成的硬质掩模层；光刻刻蚀形成多个伪栅极结构，多晶硅栅的宽度包括2个以上；形成侧墙；形成器件的源区和漏区；去除第二氧化层，在去除第二氧化层的过程中，根据多晶硅栅的宽度不同分别进行光刻定义，每一次光刻定义打开对应能实现一次去除第二氧化层的一种宽度以上的多晶硅栅的顶部区域，之后去除打开区域的第二氧化层，重复进行光刻打开和去除第二氧化层的步骤实现将全部多晶硅栅顶部的第二氧化层去除。本发明能保证对多晶硅栅顶部的硬质掩模层进行很好去除，同时又能实现对多晶硅栅两侧的结构进行很好保护。