本发明涉及一种半导体器件浅沟槽隔离刻蚀形貌的监控方法，涉及微电子技术领域，包括S1：运用光学线宽测量仪，对不同工艺刻蚀时间的半导体器件STI结构收集半导体器件的实际测量光谱；S2：建模定义TCR结构的理论模型结构；S3：切片确定TCR结构的实际数据；S4：根据步骤S1收集的实际测量光谱和步骤S2的理论模型结构，通过进一步分析计算，得到TCR结构的量测程式库文件；S5：利用量测程式库文件，收集需要监控的TCR结构的参数的理论数据，并建立理论数据和步骤S3收集的实际数据的对应关系，并确认两者的相关性系数R2；S6：利用相关性系数R2及步骤S4得到的量测程式库文件得到TCR结构的参数，实现对TCR结构形貌有效监控，达到浅沟槽TCR结构工艺稳定的目的。