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专利名称半导体器件和方法
申请日2018-12-17
申请号/专利号CN201811544219.2
专利权人台湾积体电路制造股份有限公司
申请人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人/设计人余振华;余国宠;余俊辉
公告日2019-12-31
公告号CN110634847A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

在实施例中,一种器件包括:第一器件,包括:具有第一连接件的集成电路器件;第一光敏粘合层,位于集成电路器件上;以及第一导电层,位于第一连接件上,第一光敏粘合层围绕第一导电层;第二器件,包括:具有第二连接件的内插器;第二光敏粘合层,位于内插器上,第二光敏粘合层物理连接至第一光敏粘合层;以及第二导电层,位于第二连接件上,第二光敏粘合层围绕第二导电层;以及导电连接件,接合第一导电层和第二导电层,通过气隙围绕导电连接件。本发明实施例涉及半导体器件和方法。
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