本发明公开了一种压电MEMS超声波传感器及其制造方法，涉及传感器技术领域，本申请采用了MEMS工艺进行超声波传感器的制造，在硅基片上采用类似集成电路的光刻、刻蚀等方法实现传感器的制造，同时区别于传统的超声波传感器基于压电陶瓷的方案，本申请提出的超声波传感器基于微米厚度的压电薄膜，且基于弯曲振动模式，所制造的超声波传感器的尺寸可以小到毫米量级，因此采用本申请公开的制造方法制造得到的超声波传感器具有尺寸小、一致性高以及可以批量制造的优点，而且能够很容易实现阵列，扩展了超声波传感器的应用范围。