本发明属于集成电路器件制造技术领域，具体为一种具有高隧穿效率的半浮栅晶体管及其制备方法。本发明半浮栅晶体管包括：Si衬底；形成于Si衬底中的U型槽；位于Si衬底中的嵌入式隧穿晶体管的源极；与所述嵌入式隧穿晶体管的源极相接触的第一栅极叠层；第二栅极叠层；位于第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧的栅极侧墙；以及位于所述栅极侧墙两侧的源区和漏区。本发明采用SiGe作为嵌入式晶体管的源极，以改变嵌入式晶体管的能带结构，降低源极的导带底并提高源极的价带顶；提高源极的价带顶可以使得隧穿晶体管能在更小的漏极电压的条件下实现电子从源极价带向漏极导带的隧穿，从而降低功耗。