本发明属于集成电路器件制造技术领域，具体为一种低隧穿漏电半浮栅晶体管及其制备方法。本发明中，低隧穿漏电半浮栅晶体管的控制栅及其栅介质层采用高K/金属栅结构，能够进一步减小半浮栅器件栅极的漏电流，提高晶体管的开关速度，并降低功耗。该低隧穿漏电半浮栅晶体管有望在未来集成电路半浮栅器件的制造中得到应用，并且可以有效降低半浮栅器件的漏极电压，从而提高半浮栅器件的速度、降低功耗。此外，本发明的半浮栅晶体管制备方法工艺步骤更加简化，能够进一步降低生产成本。