本发明属于集成电路器件制造技术领域，具体为一种高驱动电流半浮栅晶体管及其制备方法。本发明半浮栅晶体管包括：Si衬底，形成于Si衬底中的U型槽；与Si衬底表面相接触的第一栅极叠层；第二栅极叠层；栅极侧墙，位于第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧的栅极侧墙；以及源区和漏区。本发明以SiC作为半浮栅晶体管的源漏极材料，引入了沟道张应力，改变载流子的有效质量，提高了载流子的迁移率，从而增大半浮栅晶体管驱动电流。