本申请的各种实施例涉及具有边界侧壁间隔件的嵌入式存储器边界结构及相关形成方法。在一些实施例中，在半导体衬底中形成隔离结构以将存储区与逻辑区分离。在所述存储区上形成存储单元结构，并在所述隔离结构上形成伪结构。形成覆盖所述伪结构的边界侧壁间隔件。保护介质层形成在所述边界侧壁间隔件的顶面上。所述边界侧壁间隔件和所述保护介质层提供平滑的边界侧壁以在所述逻辑器件结构的形成期间不会经受损坏，因此，在使用HKMG技术形成所述逻辑器件结构期间不会吸收高k蚀刻残余物。本发明的实施例还提供了集成电路及其形成方法。