本发明涉及在集成电路产品上防护嵌入式MRAM阵列的方法，本文中所揭示的一种示例方法包括在半导体衬底上方形成集成电路产品的MRAM存储器阵列及多个周边电路；在该衬底上方形成图案化含金属防护材料层，该图案化含金属防护材料层覆盖该MRAM存储器阵列，但使位于该多个周边电路上方的区域暴露；以及利用就位的该图案化含金属防护材料层，在该集成电路产品上执行硅悬键钝化退火制程。