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专利名称一种半导体器件及其制造方法
申请日2018-12-13
申请号/专利号CN201811525940.7
专利权人武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人武汉新芯集成电路制造有限公司
发明人/设计人盛备备;赵东光;王三坡
公告日2019-04-12
公告号CN109616447A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法,先在有源区上形成轻掺杂区,则通过轻掺杂区之间的区域限定出沟道区,而后,形成覆盖层,覆盖层中具有开口,该开口暴露出沟道区以及部分的轻掺杂区,进而,通过侧墙工艺,在开口的侧壁上形成侧墙,侧墙之间的间隙用于形成栅极,这样,通过侧墙进一步缩小了开口的尺寸,即栅极的尺寸,而无需更高端的光刻设备来实现栅极尺寸的减小,并通过侧墙之间的间隙限定出的栅极,其具有底部窄、上部宽的形貌,减小了栅极与沟道区接触的尺寸,实现器件速度的不断提高。该方法中,通过新的工艺方法来实现器件速度的不断提升,降低对高端设备的依赖,降低制造成本,使得器件速度可持续得到提高。
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