本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在形成栅极及侧墙之后，通过选择性外延生长，在栅极两侧暴露的半导体衬底表面上形成半导体外延层，也就是源漏区所在区域之上先形成有半导体外延层，而后，进行金属层的生长，通过自对准金属硅化工艺，使得半导体外延层与金属层转化为金属硅化物层。该方法中，在源漏区衬底表面之上的空间上形成金属硅化物层，减少占用衬底表面之下的空间，可以避免由于金属硅化物层而导致的结漏电缺陷的产生，同时，可以通过控制半导体外延层的厚度，形成所需厚度的金属硅化物层，增加硅化物层的工艺窗口，可以保证接触电阻满足器件要求的同时避免硅化物层被接触塞穿通的缺陷发生。