本发明公开了一种CMOS图像传感器，各像素单元之间隔离有深沟槽隔离结构，通过增加深沟槽隔离结构的沟槽深度来降低各像素单元之间的信号串扰；深沟槽隔离结构包括：沟槽、形成于沟槽的侧面和底部表面的ONO层以及将形成有ONO层完全填充的导电材料层；沟槽形成于半导体衬底中，在深沟槽隔离结构两侧形成有像素单元结构；导电材料层连接到第一电极，沟槽的内侧表面形成有悬挂键；通过在第一电极加正电压，将悬挂键产生的电子注入到第二氮化层的陷阱中，从而消除由悬挂键所产生的暗电流。本发明还公开了一种CMOS图像传感器的制造方法。本发明能减少暗电流。