本发明公开了一种电路结构。上述电路结构包括：冗余存储模块，用以响应于测试字线电压的驱动，模拟存储单元的读操作；判断模块，与冗余存储模块的内部节点相连，用以响应于读操作，判断测试字线电压是否使冗余存储模块的内部节点在读操作时发生偏转，响应于发生偏转，冗余存储模块以调整的测试字线电压模拟读操作，直至判断模块判断内部节点在读操作中不发生偏转；以及统计模块，用以统计并输出偏转次数，偏转次数被用于结合每次的测试字线电压调整量来表征临界字线电压。根据本发明所提供的电路结构，能够有效判断存储单元是否需要降低字线电压驱动，并且获得使存储单元工作在最佳状态的临界字线降低电压。