本发明公开了一种SRAM的6T存储单元结构，由第一和第二选择管、第一和二PMOS管、第一和第二NMOS管连接成6T存储单元结构，两个选择管分别形成在第一和二有源区中；两个PMOS管形成在第三有源区中；两个NMOS管形成在第四有源区中；第一和第二有源区都具有第一宽度，第三有源区具有第二宽度，第四有源区具有第三宽度，第三宽度大于第一宽度大于第二宽度，用以优化电路读窗口和写窗口，沟道区宽度相同的晶体管设置在相同的有源区中，各有源区都分别采用相同的宽度的设置，能防止有源区宽度渐变。本发明能消除有源区的宽度变化对晶体管的沟道长度和宽度的影响，从而能提高器件之间的匹配度并从而提高良率，能增大工艺窗口。