本发明公开了一种平面型双向触发二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。所述平面型双向触发二极管的结构是自下而上包括：p型衬底和n型外延层；在n型外延层上掺杂两个处于同一水平位置的p阱，在两个p阱上分别掺杂一个n阱；本发明突破分立器件的设计思想，不再沿用垂直设计的思路，而是采用与双极型集成电路工艺兼容的方法，设计出一款平面型DIAC器件，将集成电路的整个p型衬底和上述平面型DIAC器件做成一体，改善了触发二极管的触发特性，应用于电路中使得电流的触发更为灵敏，整流效率得到提高，电源输出效率可达90％以上，且增强了热容量，使得其能够应用于集成电路中，且不存在易被烧坏的缺点。