一种半导体器件的金锡环封盖工艺方法，包括以下特征：(1)预先加工适于半导体器件封盖的定位夹具，(2)设定真空加热的温度曲线；(3)选用合适的Au80Sn20预成型金锡环焊片；(4)对器件、盖板和金锡环焊片进行预处理；(5)依次放入定位夹具内、盖上压块，送入真空炉内；(6)开启真空泵抽真空，真空度达标后按照设定温度曲线加热，壳体和盖板焊接在一起。本方法优点：①盖板厚度无要求，封盖后机械强度大，盖板耐压大；②对封装的半导体器件材料无要求；③封装应力小；④无须特殊处理可经受住盐雾试验，使器件在腐蚀性气体下长期可靠地运行。适用于需要高可靠性陶瓷金属结构气密封装的微波半导体器件和集成电路。