本实用新型涉及的一种基于高灵敏高耐压光耦合芯片模块的集成电路封装结构，其特征在于它包括金属引线框架，金属引线框架上通过锡膏焊接有源器件和无源器件，金属引线框架上通过银胶粘贴芯片。芯片中有一个芯片具有光灵敏控制集成电路，光灵敏控制集成电路中包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第一电阻以及第二电阻；其中：第一三极管和第四三极管是PNP晶体管，第二三极管和第三三极管是NPN晶体管。本实用新型的一种基于高灵敏高耐压光耦合芯片模块的集成电路封装结构具有提高生产效率，降低生产成本，保证生产产品质量的优点。