本发明涉及一种偏心式真空辅助旋涂垂直深孔内壁绝缘层的制作方法，属于半导体及微电子集成技术领域。所述制作方法包括：将制作好的超高深宽比(20:1)及超小直径(2μm)垂直深孔进行高分子聚合物的无缝填充，硅圆片衬底与匀胶台偏心放置；利用真空辅助偏心式旋涂技术在深孔内壁形成一层均匀的高分子聚合物层，作为垂直互连结构的绝缘材料。本发明的制作方法，首先保证了室温环境(25℃)下，超小直径及超高深宽比深孔内，侧壁及底部绝缘层的圆片级均匀性；其次改善了三维垂直互连的界面开裂、芯片破碎等可靠性问题；最后，与常规的CMOS集成电路制造方法兼容，并且成本低，可以广泛地应用在常规CMOS集成电路的三维集成技术中，具有通用性。