本发明公开了一种CMOS晶体管，包括：栅氧化层，形成于硅衬底的表面，栅氧化层包括形成于硅衬底表面的界面层以及位于界面层上的主体层。界面层的具有SiOx的结构，x介于1～2之间；主体层包括SiO2层。在界面层形成之前，硅衬底的表面具有经过预处理的结构，以减少界面层的界面态。在栅氧化层形成之后，界面层的被高温退火处理，以减少界面层的界面态。通过界面层的界面态的减少来调节CMOS晶体管的平带电压并使所MOS晶体管的平带电压调节到符合闪烁噪声的要求范围。本发明还公开了一种CMOS晶体管的制造方法。本发明能减少并控制栅氧化层的界面态，从而降低器件的闪烁噪声。