本发明公开了一种应力沟道晶体管，包括：栅极结构，侧墙，源漏区和沟道区。CESL层覆盖在源区、漏区、栅极结构的侧墙的侧面和多晶硅栅的顶部表面上，CESL层包括采用SiN薄膜组成的缓冲层和应力提供层。应力提供层的SiN薄膜的H含量高并在SiN薄膜沉积之后包括氢释放工艺并氢释放后实现SiN薄膜的固化并从而实现对沟道区的应力的调节，缓冲层阻挡氢释放工艺中的H向源区、漏区和沟道区扩散，从而提升器件的电学性能。本发明还公开了一种应力沟道晶体管的制造方法。本发明能采用CESL的SiN薄膜实现对沟道区的应变传递且能防止SiN薄膜的氢释放的氢扩散到沟道区以及源区和漏区中，从而能改善器件的静态漏电性能。