本发明公开了一种铜填充的凹槽的方法，包括步骤：步骤一、形成凹槽；步骤二、形成阻挡层；步骤三、形成籽晶层；步骤四、采用电化学电镀工艺在凹槽中填充铜并形成将凹槽完全填充的铜主体层，包括如下分步骤：步骤41、采用第一电流进行铜的敷形沉积形成在凹槽的底部表面和侧面均匀生长第一层铜；步骤42、进行将电流的大小从第一电流逐渐降低到第二电流铜的过渡阶段沉积形成位于凹槽底部表面的厚度大于侧面的厚度的形成第二层铜；步骤43、采用第二电流进行铜的底部向上沉积形成第三层铜将凹槽完全填充。本发明能同时兼顾电镀铜过程中对凹槽侧面和底部表面的籽晶的修复以及从底部向上填充，提高铜填充凹槽的能力，改善凹槽侧面的空洞问题。