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专利名称钨填充凹槽结构的方法
申请日2018-12-05
申请号/专利号CN201811476989.8
专利权人上海华力集成电路制造有限公司
申请人上海华力集成电路制造有限公司
发明人/设计人鲍宇;李一斌;王晓芳;张书强
公告日2019-03-29
公告号CN109545741A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明公开了一种钨填充凹槽结构的方法,包括步骤:步骤一、在第一介质层中形成第一凹槽。步骤二、形成第一阻挡层。步骤三、进行第一次钨沉积加化学机械研磨工艺形成第一钨层。步骤四、形成第二介质层。步骤五、形成叠加在第一凹槽的正上方的第二凹槽。步骤六、形成第二阻挡层。步骤七、将第二凹槽的底部表面和第二凹槽的外部表面的所述第二阻挡层去除。步骤八、进行从底部向顶部沉积的第二次钨沉积形成第二钨层。本发明能实现钨的无缝隙填充,提高钨填充凹槽结构的质量。
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