本发明属于集成电路用溅射靶材制造技术领域，公开了一种超细晶铜锰合金靶材的加工方法。该方法主要包括如下步骤：1)对铜锰合金铸锭进行高温锻造开坯；2)对步骤1)所得物进行150‑250℃多轮次低温三向锻造；3)对步骤2)所得物在425‑475℃进行再结晶热处理；4)对步骤3)所得物进行多次冷变形+回复退火，得到超细晶铜锰合金靶材。本发明得到的长寿命铜锰合金靶材其寿命可达3000kwh，平均晶粒尺寸在1μm以下，维氏硬度超过140HV，(220)取向百分比超过80％，可以有效提高靶材利用率，能够满足集成电路28nm及以下工艺制程的要求。