本申请公开了一种后镇流式纵向NPN晶体管。所公开的示例提供具有后镇流式NPN双极晶体管(140)的集成电路(100)和制造方法，该双极晶体管(140)包括在P掺杂区(118)中的n型发射极(129)，具有面向发射极(129)的第一侧的p型基极(130)，以及与基极(130)的第二侧横向间隔开的n型集电极(128)，其中集电极(128)包括面向基极(130)的第二侧的第一侧，相对的第二侧，硅化的第一集电极部分(136)和硅化物被阻挡的第二集电极部分(138)，用不导电的电介质(134)覆盖该硅化物被阻挡的第二集电极部分(138)，该硅化物被阻挡的第二集电极部分(138)在第一集电极部分(136)与集电极(128)的第二侧之间横向延伸，以当纵向NPN在高电压下导通时，经由深N掺杂区(120)提供用于横向击穿和低电流传导的后侧镇流。