| 欢迎访问江苏军地协同公共服务平台 |  |
 |
 |
 |
 |
 |
|
 |
 |
| 专利名称 | 制造集成电路器件的方法 |
| 申请日 | 2018-12-03 |
| 申请号/专利号 | CN201811464000.1 |
| 专利权人 | 三星电子株式会社 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 |
| 发明人/设计人 | 郑祥教;姜润升;李成禧;李知承;李炫哲 |
| 公告日 | 2019-07-16 |
| 公告号 | CN110021520A |
| 法律状态 | 审中 |
| 专利类型 | 发明 |
| 行业分类 | 集成电路 |
摘要
提供了制造集成电路器件的方法。该方法可以使用包括一个光刻工艺和两个双重图案化工艺的四重图案化技术(QPT)工艺在衬底上形成特征图案。通过第一个双重图案化工艺获得的牺牲间隔物和通过第二个双重图案化工艺获得的间隔物可以在特征层上形成在相等的水平面处。
 |
 |
|
| 关于我们 | 帮助中心 | 服务清单 | 发展历程 | 网站地图 | 手机访问 |
 |
 |
Copyrights 2016-2020 南京锐阳信息科技有限公司 版权所有 |
|
 |
|
