本发明公开了一种抗总剂量效应的MOS场效应管，属于MOS场效应管的设计技术领域。该场效应管在源区和漏区的边缘使用多晶硅环绕源区和漏区两极，同时多晶硅覆盖有源区的边缘形成的蝴蝶柵形结构，因为P管不存在边缘寄生晶体管反型的问题，所以只对N管采用蝴蝶栅结构。该结构能够减少总剂量辐射下的MOS器件的SiO2中产生的辐射感生陷阱电荷和在Si/SiO2界面产生辐射感生界面态。从而减少MOS器件阈值电压漂移，防止沟道载流子迁移率降低，防止漏电流增加。该蝴蝶柵形结构能够完全消除辐射感生边缘寄生晶体管效应，并且与商用工艺相兼容，使用该方法设计的集成电路，能够在整体上具有抗总剂量效应的功能。