本发明涉及半导体集成电路工艺技术领域，尤其涉及一种光电探测器及其制作方法，该方法包括：在第一衬底上沉积SiN波导传输层，形成第一结构；在第二衬底上制作PIN器件结构层，形成第二结构；将第二结构的PIN器件结构层与第一结构的SiN波导传输层连接；去掉第二衬底，在PIN器件结构层上制作PIN结构，形成光电探测器，其中，传输层上形成有波导结构，通过采用SiN作为传输层来设置波导结构，降低了该SiN波导传输层的波导结构在光传输过程中的损耗，提高了该光探测器的光传输的效率；进一步，还通过分别制备第一结构和第二结构，再连接SiN波导传输层和PIN器件结构层，解决了SiN上不易生长PIN器件结构层的问题，提供了一种含SiN的传输层上制备PIN结构的新工艺。