一种适于集成电路金属外壳氮‑氢混合等离子清洗方法，具体方法包括以下步骤：⑴将待清洗的集成电路金属外壳平放在等离子清洗机清洗腔内，关好清洗腔仓门；⑵通入一定配比的氮‑氢混合气；⑶设置射频电源功率、腔体真空度、清洗时间的参数；⑷启动清洗程序进行等离子清洗，结束后取出集成电路金属外壳，关好清洗腔仓门。本方法优点是：①清洗过程不使用化工试剂，对操作人员和环境影响小；②清洗过程在真空环境下进行，工艺气体消耗少，成本低；③通过配置夹具可规模化清洗；④对分子尺寸级污渍去除效果优于氩氢混合气进行等离子清洗的方法。适用于金属封装的单片集成电路、混合集成电路以及多芯片模块组装前的表面清洗。