本发明公开了一种硅衬底内部ESD结构的制造方法，属于集成电路抗静电ESD技术领域。该方法是将具有ESD作用的二极管制作于硅衬底内部且位于PAD点正下方，从而减少ESD管的使用面积，缩小芯片尺寸。本发明方法制造的ESD结构，减少了ESD管子的使用面积，大大缩小了芯片尺寸，同时也提高了静电流的泄放能力和泄放速度，起到更好的抗静电效果。