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专利名称一种功率半导体芯片钎焊溢料控制方法
申请日2018-11-29
申请号/专利号CN201811448031.8
专利权人贵州振华风光半导体有限公司
申请人贵州振华风光半导体有限公司
发明人/设计人尹国平
公告日2019-04-23
公告号CN109663998A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明公开了一种功率半导体芯片钎焊溢料控制方法,该方法是在芯片焊接前,在外壳基座上,沿功率半导体芯片焊接区域四周,通过激光标刻方式,刻出一道沟槽,形成一个引流圈;按正常钎焊工艺流程在外壳基座上先放置预制焊料,再将芯片放置在预制焊料上,最后加上压块放入真空烧结炉中进行钎焊;此时,溢出的焊料被限制在引流圈范围内,从而防止溢出焊料向外流动,避免造成短路。本方法具有以下优点:①可直接使用已有的工装夹具,适合规模化生产;②不需对原有钎焊工艺参数进行调整,可快速导入生产;③可将溢出钎料控制在预定区域,提高产品质量。本方法适用于功率半导体分立器件和集成电路芯片钎焊。
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