本发明属于集成电路的保护领域，具体公开了一种静电保护电路及半导体结构。该静电保护电路设置在需要进行静电保护的第一端口和第二端口之间，包括至少一个插指回路和电连接于至少一个插指回路的控制电路；每一个插指回路包括静电保护晶体管，其漏极与第一端口电连接，其源极与第二端口电连接；控制电路包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的漏极和第二晶体管的栅极与第一端口电连接，第二晶体管的漏极和第一晶体管的栅极与第二端口电连接，第一晶体管的源极与第二晶体管的源极短接，且电连接于静电保护晶体管的栅极和体区。本发明能够解决正电压或负电压输入时存在漏电流的问题，以及反向静电保护能力薄弱问题。