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专利名称一种具有横向高阶结构的有机晶体管
申请日2018-11-27
申请号/专利号CN201811422834.6
专利权人哈尔滨理工大学
申请人哈尔滨理工大学
发明人/设计人王东兴;张志文
公告日2019-01-29
公告号CN109285948A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

一种具有横向高阶结构的有机晶体管。目前,新概念“高阶结构自发图案化”(SPHOS)的制造技术一直用来研究垂直型器件。本发明采用聚苯乙烯(PS)球体掩蔽法制备一种具有横向高阶结构的有机晶体管,其组成包括:Si/SiO2衬底(1),所述的衬底上面连接所述的源极Au/Cr薄膜层(2),所述的源极上面连接所述的绝缘层Al2O3薄膜层(3),所述的衬底上面连接所述的有源层PbPc薄膜层(4),所述的有源层PbPc薄膜层上面连接所述的漏级Au薄膜层(5),本发明用于液晶面板驱动,有机集成电路芯片以及其他电子电路等领域中。
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