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专利名称FIB样品座
申请日2018-11-22
申请号/专利号CN201811396491.0
专利权人上海华力集成电路制造有限公司
申请人上海华力集成电路制造有限公司
发明人/设计人尹圣楠;史燕萍
公告日2019-02-15
公告号CN109342475A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明公开了一种FIB样品座,包括样品座本体和底座,其中样品座本体与底座为一体结构,所述样品座采用防磁导电金属制成,所述样品座本体为六面体结构,该六面体的底面与顶面平行,四个侧面中至少一个侧面垂直于底面且至少一个侧面与底面的夹角α为40°~55°。本发明的样品座可以同时放置平面TEM样品、截面TEM样品以及FIB标记样品,从而可以提高物性失效分析的效率,延长螺纹连接的使用寿命,保持FIB真空值以提高FIB电子束的分辨率;同时与底面形成夹角的侧面上可同时放置FIB标记样品,从而减少进行共聚焦点高度EucentricHeight的时间。
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