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专利名称一种半导体结构及其形成方法
申请日2018-11-22
申请号/专利号CN201811401488.3
专利权人中芯集成电路(宁波)有限公司
申请人中芯集成电路(宁波)有限公司
发明人/设计人陈达
公告日2019-03-29
公告号CN109545775A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明提供了一种半导体结构及其形成方法,所述半导体结构包括:第一基底,第一基底的第一表面上形成有温度探测器,所述温度探测器未经封装,并且在第一基底的第二表面上黏着有至少一个芯片,并且,至少一个芯片与温度探测器间隔第一基底而相对设置;以及,第二基底,第二基底的第三表面与第一基底的第一表面键合。在本发明提供的半导体结构中,温度探测器对于芯片温度探测的准确性较高。
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